[其他]绝缘衬底上混合源双面硅单晶生长无效
| 申请号： | 86100027 | 申请日： | 1986-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN86100027A | 公开（公告）日： | 1987-07-15 |
| 发明（设计）人： | 杨树人;汤广平;全宝富 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/22 |
| 代理公司： | 吉林大学专利事务所 | 代理人： | 杨德胜 |
| 地址： | 吉林省*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明是一种半导体器件及集成电路制造中的化学气相硅淀积工艺，其目的在于实现“单晶硅/绝缘材料/单晶硅”的半导体材料结构。其特点是该结构外延一次完成，生长速率快，单晶厚度均匀，质量好，设备简单，操作方便，对绝缘衬底无气相腐蚀，便于生产应用。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 衬底 混合 双面 硅单晶 生长 | ||
【主权项】：
1、一种在绝缘衬底上的硅烧和四氯化硅混合源双面硅单晶生长工艺，其特征在于首先用硅烷淀积硅将绝缘衬底包裹起来，然后将硅烷和四氯化硅按一定比例混合，以氢气为载气进行原位硅单晶生长，并且在双面一次生长完毕。
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