[其他]微细光刻技术无效
| 申请号： | 86101809 | 申请日： | 1986-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN86101809A | 公开（公告）日： | 1987-10-07 |
| 发明（设计）人： | 胡思福 | 申请（专利权）人： | 成都电讯工程学院 |
| 主分类号： | G03F7/02 | 分类号： | G03F7/02 |
| 代理公司： | 成都电讯工程学院专利代理室 | 代理人： | 马新民,詹权松 |
| 地址： | 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微细光刻技术，为制造大规模集成电路、微波半导体器件、激光器、精密传感器等提供了一种新的紫外光衍射缩小曝光方法。本法不需要采用复杂的光学透镜系统，而且使图形的分辩率可达到光学投影曝光的水平，此种曝光技术具有等量缩小的特点，可按需要进行1～5倍的缩小曝光。可以加工3～0.7微米的精细图形。 | ||
| 搜索关键词： | 微细 光刻 技术 | ||
【主权项】：
1、一种微细光刻技术，它是通过平行紫外光透过掩模版，在近场条件下对涂有抗蚀剂的基片曝光，实现图形的加工。其特征在于所述的曝光方法为接近式衍射缩小曝光，掩模版至基片的间隙距离为0～50微米。
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