[发明专利]形成在绝缘材料上的静电潜象无损读出的方法及装置无效
| 申请号： | 86102223.8 | 申请日： | 1986-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1007292B | 公开（公告）日： | 1990-03-21 |
| 发明（设计）人： | 埃米尔·卡米恩尼克基 | 申请（专利权）人： | 埃米尔·卡米恩尼克基 |
| 主分类号： | G01R5/28 | 分类号： | G01R5/28;G01R29/14;G01R29/24;G01T1/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 李先春,肖掬昌 |
| 地址： | 美国马萨诸塞*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了用于无损读出在绝缘材料片或层上形成的静电潜像的方法和装置。半导体材料片或层置于与绝缘材料相当接近的位置上。形成在绝缘材料上的静电潜像在半导体材料的表面生成感应产生的表面耗尽层。当用合适波长的低强度调制光束扫描半导体时，在半导体材料上积累的电荷的位置及其分布作相应于半导体材料上感生的交流表面光电压的模拟信号读出，模拟信号的大小依赖于局部电荷密度。然后将所得到的模拟电信号数字化，处理，贮存和/或显示。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 绝缘材料 静电 无损 读出 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一读出积累在一绝缘体上电荷的方法，所述绝缘体具有前表面和背面，所述方法的特征在于包括：a)备有半导体，所述半导体具有前表面和背面，所述半导体在其前表面上有一耗尽层；b)将所述半导体的前表面对应于所述绝缘体的前表面，以使得在所述半导体中的耗尽层产生变化，所述耗尽层的变化同所述绝缘体上积累的电荷有关，和c)通过当所述前表面被一束具有适当波长的强度调制光束照射时在所述前表面上测量所述半导体的交流表面光电压来探测积累在半导体上的电荷的数量和位置，所述交流表面光电压的幅值与所积累的电荷有关。
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