[其他]金属—氧化铝—硅结构湿度传感器及其制备工艺无效
| 申请号： | 86102535 | 申请日： | 1986-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN86102535B | 公开（公告）日： | 1988-11-16 |
| 发明（设计）人： | 骆如杨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | G01W1/02 | 分类号： | G01W1/02;G01R27/26;H01G7/00 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 季良赳,沈德新 |
| 地址： | 上海市长户*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是Si-MOS结构AlO3湿度传感器，属于指示环境湿度的元器件。它是在低阻Si衬底上通过Al蒸发和阳极氧化及热处理制备一层稳定的多孔α-Al2O3，并而使Al2O3湿度传感器改善或克服了长期漂移问题，并能同时测量绝对湿度和相对湿度。本发明的湿度传感器测湿范围宽、灵敏度高、重复性和稳定性好，可广泛用于工业过程控制、环境湿度检测、各种高纯气体水含量分析、气密封装电子器件残留水份监测及电子器件的可靠性和失效机理研究等。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化铝 结构 湿度 传感器 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种半导体-氧化物-金属（MOS）型湿度传感器，其中的半导体是Si，氧化物是Al2O3，金属采用Cr-Au。本发明的特征在于Al2O3为α相，厚度为1500-2200。
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