[其他]导电率调制型MOS场效应管的过电流保护电路无效
| 申请号： | 86103419 | 申请日： | 1986-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN86103419A | 公开（公告）日： | 1986-11-12 |
| 发明（设计）人： | 冈土千寻;山口好広;中川明夫 | 申请（专利权）人： | 东芝株式会社 |
| 主分类号： | H02H3/08 | 分类号： | H02H3/08;H01L23/56 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 杨国胜 |
| 地址： | 日本神奈川县*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 双极性场效应管(BIFET)的过电流保护电路具有探测BIFET的漏极和源极之间电压的电压探测电路和一种主开关电路用来降低BIFET的栅极和源极之间电压以及根据电压探测电路的输出来防止BIFET的导通事故或导通延迟。接收到接通栅极信号后，BIFET初始导通期间，在主开关电路变成导通时刻之前有一个延迟时间常数。在本发明中，这样一种情形可以防止，在BIFET初始导通期间过电流保护电路起作用使BIFET不导通或经过一些延迟以后才导通。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 调制 mos 场效应 电流 保护 电路 | ||
【主权项】：
1、一种双极型场效应晶体管(BIFET)的过电流保护电路，BIFET的栅极连接到产生栅极信号电路的输出端，该产生栅极信号的电路包括在BIFET的漏极和源极之间探测电压的第一电压探测电路，其特征在于所述的过电流保护电路还包括降低上述BIFET的栅极和源极之间电压和根据上述电压探测电路的输出来防止上述BIFET的事故或导通延迟的主开关装置。
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