[发明专利]导电率调制型MOS场效应管的过电流保护电路

摘要

双极性场效应管(BIFET)的过电流保护电路具有探测BIFET的漏极和源极之间电压的电压探测电路和一种主开关电路用来降低BIFET的栅极和源极之间电压以及根据电压探测电路的输出来防止BIFET的导通事故或导通延迟。接收到接通栅极信号后，BIFET初始导通期间，在主开关电路变成导通时刻之前有一个延迟时间常数。在本发明中，这样一种情形可以防止，在BIFET初始导通期间过电流保护电路起作用使BIFET不导通或经过一些延迟以后才导通。

主权项

1.一种过电流保护电路，包括具有源极、漏极及与产生栅极信号电路的输出端相连的栅极的BIFET；探测上述BIFET的漏极和源极之间的电压的第一电压探测装置；及根据上述电压探测装置的输出瞬时地降低上述BIFET的栅极和源极之间的电压并防止上述BIFET的导通事故及导通延迟的主开关装置；其特征在于上述主开关装置包括：具有阳极、阴极及栅极，且上述阳极与上述BIFET的栅极相连的半导体闸流管；与上述半导体闸流管的栅极相连的第一齐纳二极管；具有与上述半导体闸流管的阴极相连的漏极，与上述BIFET的源极相连的源极，及栅极的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；连接在上述第一MOSFET的栅极与上述产生栅极信号电路的输出端之间的第一电阻装置，上述第一MOSFET具有栅极电容，该电容与第一电阻装置相结合导致上述第一MOSFET的导通延迟直到上述产生栅极信号电路的上述输出端加有导通信号使上述BIFET导通之后为止。