[其他]用互补型金属氧化物晶体管技术实现的倒相器

摘要

本发明倒相器的两个晶体管(tn、tp)是通过两个电容(c1、c2)纯粹容性地驱动的，(tn、tp)的直流工作点通过来自参考电流源(sr)的输出电流的驱动电流来确定。由此对输入信号的正、负脉冲沿给出相同的延迟，这样，与作为电压比较器的差分放大器(k)一起的最佳应用能在10～20MHz频率范围内达到良好的高频响应。

主权项

1、用CMOS技术实现的倒相器及其所包括的两个晶体管，也就是p沟道晶体管(tp)和n沟道晶体管(tn)。所述两个晶体管的控制电流通路串联在电压源的正端(vd)和负端(vs)之间，而这两个晶体管的连接点构成倒相器的输出端(ag)，该n沟道晶体管(tn)的栅极通过第一电容(c1)连接到倒相器输入端(e)，而该n沟道晶体管(tn)也就是第一电流反映电路(s1)的输出晶体管，所述倒相器及其所包括的两个晶体管其特征在于以下特点：该p沟道晶体管(tp)的栅极通过第二电容(c2)连接到倒相器的输入端(e)；该p沟道晶体管(tp)就是第二电流反映电路(s2)的输出晶体管；第一电流反映电路(s1)的输出电流和第二电流反映电路(s2)的输出电流根据倒相器的两个输出电平(H，L)，在高值电流和低值电流之间转换，这样，在H电平时，第一电流反映电路(s1)能够有低值电流，在L电平时，(s1)能够有高值电流；而第二电流反映电路(s2)则在H电平时能够有高值电流，在L电平时，能够有低值电流。第一电流反映电路(s1)的驱动电流(is1)是第三电流反映电路(s3)的输出电流(ia3)，而第三电流反映电路(s3)的驱动电流(is3)又是参考电流反映电路(sr)的第一输出电流(iar1)；第二电流反映电路(s2)的驱动电流(is2)是参考电流反映电路(sr)的第二输出电流(iar2)，该n沟道晶体管(tn)的栅极通过第一电阻(r1)连接到第一电流反映电路(s1)的驱动输入端，而p沟道晶体管(tp)的栅极通过第二电阻(r2)连接到第二电流反映电路(s2)的驱动输入端。