[其他]硅的多重吸杂技术及多重吸杂硅片无效
| 申请号： | 86104069 | 申请日： | 1986-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN86104069A | 公开（公告）日： | 1987-02-11 |
| 发明（设计）人： | 傅有文;何伟全;樊世绪;卓建会;肖德柠 | 申请（专利权）人： | 电子工业部第四十四研究所 |
| 主分类号： | C30B31/06 | 分类号： | C30B31/06 |
| 代理公司： | 重庆专利事务所 | 代理人： | 李启良 |
| 地址： | 四川省永川县*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明所涉及的是硅片的多重吸杂技术及用多重吸杂技术所获得的多重吸杂硅衬底片。多重吸杂技术主要由磷扩散及多层外延组成的技术。用多重吸杂技术所获之硅片具有杂质吸杂、缺陷吸杂和多晶晶界吸杂，该硅片适于用作电荷耦合器件、光电探测器件、MOS型和TTL型大中小规模集成电路和各种硅单元器件的衬底片。多重吸杂技术简单、适用、成本低，用多重吸杂硅片所作器件结构性好、暗电流小、成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 杂技 硅片 | ||
【主权项】：
1、一种多重吸杂硅片，它具有衬底层[5]，高浓度磷吸杂层[1]，其特征在于多重吸杂硅片还具有多晶吸杂层[3]，高密度缺陷单晶吸杂层[4]，用以增强磷吸杂层[1]及多晶吸杂层[3]的吸杂效果的单晶阻挡层[2]。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子工业部第四十四研究所，未经电子工业部第四十四研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/86104069/，转载请声明来源钻瓜专利网。
