[其他]在半导体衬底材料接触区制作电接触的方法无效

专利信息
申请号: 86105085 申请日: 1986-08-13
公开(公告)号: CN86105085A 公开(公告)日: 1987-03-18
发明(设计)人: 洛萨尔·布洛斯费尔德 申请(专利权)人: 德国ITT工业股份有限公司
主分类号: H01L21/18 分类号: H01L21/18;H01L21/82
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 刘晖
地址: 联邦德国弗*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在制造电接触(1)时,使用了多晶硅电极层(4),其边缘搭在与衬底(3)连接的绝缘物上,至少搭在边缘(52)的部分斜坡上。电极层(4)在腐蚀工艺中用做限定侧向边界的掩膜。于是,在电极层(4)的边缘下面形成一个框架形薄层(5),并露出与薄层(5)相邻的衬底(3)的接触区(2)。再淀积可以形成硅化物的金属层,其厚度小于薄层(5)的厚度。当加热形成硅化物后,没有与硅反应的金属,用选择性溶解金属腐蚀剂去除。
搜索关键词: 半导体 衬底 材料 接触 制作 方法
【主权项】:
1、一种在半导体材料衬底(3)的接触区(2)上制造电接触的方法,紧靠多晶硅电极层(4),多晶硅在电极层(4)的接触面(6)与衬底(3)相连接,电极层(4)的边缘至少有一部分在与衬底(3)相连的绝缘的框架形薄层(5)之上,其特征在于:用电极层(4)做为腐蚀工艺的侧面边界,至少使框架形薄层(5)一部分绝缘和衬底(3)上与其相邻的接触区(2)露出来。随后在片子露出的表面上淀积一层可以形成金属硅化物的金属层。其厚度小于上述薄层(5)的厚度。随后适当加热片子,使金属与其下面电极层(4)以及衬底(3)的硅生成金属硅化物,而与绝缘物不起化学反应。在加热和冷却之后,对没有与硅起反应的金属,用选择性的只溶解该金属的腐蚀剂将其去掉。
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