[其他]在半导体衬底材料接触区制作电接触的方法无效
申请号: | 86105085 | 申请日: | 1986-08-13 |
公开(公告)号: | CN86105085A | 公开(公告)日: | 1987-03-18 |
发明(设计)人: | 洛萨尔·布洛斯费尔德 | 申请(专利权)人: | 德国ITT工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/18 | 分类号: | H01L21/18;H01L21/82 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 刘晖 |
地址: | 联邦德国弗*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在制造电接触(1)时,使用了多晶硅电极层(4),其边缘搭在与衬底(3)连接的绝缘物上,至少搭在边缘(52)的部分斜坡上。电极层(4)在腐蚀工艺中用做限定侧向边界的掩膜。于是,在电极层(4)的边缘下面形成一个框架形薄层(5),并露出与薄层(5)相邻的衬底(3)的接触区(2)。再淀积可以形成硅化物的金属层,其厚度小于薄层(5)的厚度。当加热形成硅化物后,没有与硅反应的金属,用选择性溶解金属腐蚀剂去除。 | ||
搜索关键词: | 半导体 衬底 材料 接触 制作 方法 | ||
【主权项】:
1、一种在半导体材料衬底(3)的接触区(2)上制造电接触的方法,紧靠多晶硅电极层(4),多晶硅在电极层(4)的接触面(6)与衬底(3)相连接,电极层(4)的边缘至少有一部分在与衬底(3)相连的绝缘的框架形薄层(5)之上,其特征在于:用电极层(4)做为腐蚀工艺的侧面边界,至少使框架形薄层(5)一部分绝缘和衬底(3)上与其相邻的接触区(2)露出来。随后在片子露出的表面上淀积一层可以形成金属硅化物的金属层。其厚度小于上述薄层(5)的厚度。随后适当加热片子,使金属与其下面电极层(4)以及衬底(3)的硅生成金属硅化物,而与绝缘物不起化学反应。在加热和冷却之后,对没有与硅起反应的金属,用选择性的只溶解该金属的腐蚀剂将其去掉。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德国ITT工业股份有限公司,未经德国ITT工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/86105085/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造