[发明专利]磁阻读出传感器无效
| 申请号： | 86105533.0 | 申请日： | 1986-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1008668B | 公开（公告）日： | 1990-07-04 |
| 发明（设计）人： | 唐清华 | 申请（专利权）人： | 国际商用机器公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国纽约州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁阻读出传感器组件，由淀积在端区并与之直接接触的反铁磁性材料薄膜产生的互调偏置仅在磁阻层薄膜端区建立纵向偏置磁场。该场强足以保持此端区处于单磁畴状态，由此在磁阻层中心区感生出单磁畴状态。在磁阻层中心区建立偏置磁场，其场强足以保持该区处于线性响应工作状态。彼此隔开的导电元件与磁阻层中心区相连以确定探测区，于是与导电元件相连的信号输出装置可把探测区内磁阻层的电阻变化确定为其截获到的磁场的函数。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 读出 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种磁阻读出传感器组件，具有用磁性材料制成的磁阻导电层薄膜、和磁阻层相连的导电装置、纵向偏置装置和横向偏置装置，上述磁阻导电层具有被中心区域隔开的端区；其特征在于：上述纵向偏置装置仅在上述磁阻层的上述端区直接产生纵向偏置磁场，该偏置场的强度足以保持上述磁阻层的上述端区处于单磁畴状态，由此在上述中心区域内感生出单磁畴状态；上述横向偏置装置至少在上述磁阻层的上述中心区的部分区域内产生横向偏置磁场，该偏置场的强度足以保持上述磁阻层的上述加有横向偏置场的部分处于线性响应工作状态；上述导电装置在上述中心区域内与上述磁阻层相连接用以限定探测区，从而使连接到导电装置的读出装置能够确定上述磁阻层探测区内电阻的变化，该变化是由上述磁阻层感测到的磁场的函数。
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