[其他]半导体器件的高氧含量硅单晶基片及其制法无效
| 申请号： | 86106346 | 申请日： | 1986-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN86106346A | 公开（公告）日： | 1987-06-17 |
| 发明（设计）人： | 铃木利彦;加藤弥三郎;二神元信 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 李若娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 硅基片的生产方法，包括在较高生长速度下生长硅单晶体。已经发现，硅晶体的生长速度对硅晶体或硅基片中晶体缺陷的产生有很大的影响。此外，硅晶体或硅基片中的氧含量明显地高于普通的硅晶体或硅基片中的氧含量。硅晶体的高生长速度抑制氧从晶体中离析，可减少半导体器件在热处理期间，晶体产生缺陷或层错的数目。在按照本发明的较佳方法中，硅晶体的生长速度≥1.2毫米/分。而所生长硅晶体中的最佳氧含量则选取≥1.8×1018/厘米。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 含量 硅单晶基片 及其 制法 | ||
【主权项】：
1、一种含有相当高氧含量，可供半导体器件用的硅基片的生产方法，包括从下的工序：以相当高的生长速度，从熔硅生长硅单晶，所选的生长速度可以在以后的生产该半导体器件的热处理过程中，防止氧由硅单晶中离析，以及由该硅单晶制成所述的硅基片。
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