[发明专利]半导体器件的高氧含量硅单晶基片制法无效
| 申请号： | 86106346.5 | 申请日： | 1986-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1016191B | 公开（公告）日： | 1992-04-08 |
| 发明（设计）人： | 铃木利彦;加藤弥三郎;二神元信 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 马崇德 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 硅基片的生产方法，包括在较高生产速度下生长硅单硅体。已经发现，硅晶体的生长速度对硅晶体或硅基片中晶体缺陷的产生有很大的影响。此外，硅晶体或硅基片中的氧含量明显地高于普通的硅晶体或硅基片中的氧含量。硅晶体的高生长速度抑制氧从晶体中离析，可减少半导体器件在热处理期间，晶体产生缺陷或层错的数目。在按照本发明的较佳方法中，硅晶体的生长速度≥1.2毫米/分。而所生长硅晶体中的最佳氧含量则选取≥1.8×1018/厘米3。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 含量 硅单晶基片 制法 | ||
【主权项】：
1.一种制备高氧含量硅基片的生产方法，包括提拉法生长硅单晶，硅单晶切片抛磨及热处理，其中，生长时的步骤包括将硅装入坩埚后加热，采用上端渐缩的加热器，加热器渐缩部分横截面积小于其它部分，从而使硅表面供给的热量多于熔硅的其余部分，还包括进一步使坩埚转动的措施，转速可控制；以便调节硅晶体中的氧含量，以约1.5-2.1毫米/分的高拉速生长，使硅基片的氧含量大于或等于1.8×1018个/厘米3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/86106346.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：含钒和锑的催化剂及催化剂前体
- 下一篇：桩机锚套管反拨装置
