[其他]半导体器件无效
| 申请号： | 86106353 | 申请日： | 1986-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN86106353A | 公开（公告）日： | 1987-12-02 |
| 发明（设计）人： | 山岸英雄;近藤正隆;西村国夫;广江昭彦;浅冈圭三;津下和永;太和田善久;山口美则 | 申请（专利权）人： | 钟渊化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H10L25/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 赵越 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 含非晶Pin或niP型半导体器件，其中至少一界面层是由电阻率高于邻接界面层半导体的半导体或绝缘体制成。该界面层在半导体层间或在半导体和电极间；在P/i或n/i结界面处P型或n型层中掺杂量最小，在趋向于P/i电极结界面或n/i电极结界面方向上逐渐上升；或有较高杂质密度P型半导体层和/或有较高杂质密度的n型半导体层是在P型半导体层和P型半导体层同侧电极间，和/或在n型半导体层和n型半导体层同侧电极间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一半导体器件包括一个含有非晶半导体Pin型层或niP型层及至少两个电极，其特征在于，至少一个界面层是由半导体构成，或由具有比邻接界面层的半导体的电阻率高的半导体或绝缘体构成，该界面层是处于半导体层之间或处于半导体和电极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
