[其他]整个半导体层无电气缺陷的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 86106409 | 申请日： | 1986-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN86106409A | 公开（公告）日： | 1987-05-20 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;铃木邦夫;金花美树雄;深田武;阿部雅芳;小林一平;柴田克彦;薄田真一;永山进;小柳薰 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/10;H01L31/18;H01L33/00;H01L25/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 日本神奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明介绍了一种没有因针孔或其它缝隙等缺陷引起的漏泄电流的经过改进的半导体器件，还介绍了一种加工半导体器件的经过改良的方法。按照本发明，在制造半导体层过程中所产生的缝隙在用淀积法制造电极之前用绝缘体进行充填。借助这种结构，即使在半导体层上有透明电极，也不会形成短路电流路径。 | ||
| 搜索关键词： | 整个 半导体 电气 缺陷 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于，这种半导体器件包括：一层半导体层；该半导体层的电极，所说的电极是透明的；和一个防止半导体层中出现的缝隙形成短路路径的绝缘体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
