[其他]利用磁场的微波增强型化学气相淀积系统和方法无效
| 申请号： | 86106620 | 申请日： | 1986-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN86106620A | 公开（公告）日： | 1987-07-08 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吴增勇,吴秉芬 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明展示一种改进的化学气相淀积法；在这种方法中，回旋共振与光或等离子体化学气相淀积法相配合，以高的淀积速度淀积具有高性能的薄膜。高淀积速度归因于回旋共振，而高质量性能归因于两种化学气相淀积法(CVDs)的组合。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 磁场 微波 增强 化学 气相淀积 系统 方法 | ||
【主权项】：
1、微波增强型CVD(化学汽相淀积)系统，特征在于包括：-一个CVD装置，其由一个反应室、用于将生产气体引入所述反应室的装置、用于提供能量的装置(这种能量是为在反应室内实现淀积反应所必需的)及用于抽空所述反应室的装置所组成；和-一个生产气体增强装置，它包括一个增强室、用于对所述增强室的内部提供磁场的装置，用于将微波发送到所述增强室内的装置和用于将生产气体引入所述增强室的装置，所述反应室和所述增强室处于彼此保持联系中。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
