[其他]形成沉积薄膜的方法无效
| 申请号： | 86107084 | 申请日： | 1986-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN86107084A | 公开（公告）日： | 1987-05-27 |
| 发明（设计）人： | 石原俊一;半那纯一;清水勇 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 罗英铭,陈季壮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成沉积膜的方法包括把形成沉积膜的气态原料、对该原料具有氧化作用的气态卤素氧化剂(X)和有同样性质的至少一种气态氧型和氮型氧化剂导入反应区，使它们有效的接触以形成包括处于激发态的多种中间体，和用这些中间体中的至少一种作为沉积膜组分的原料源以便在存在于成膜区中的基底上形成沉积膜。形成沉积膜的另一方法与上法相似，但增加了含作为价电子控制剂的要素的成分的气态原料(D)。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 沉积 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成沉积膜的方法，该方法包括把形成沉积膜的气态原料、对该气态原料具有氧化作用的气态囟素氧化剂(X)和具有同样性质的气态氧型和氮型氧化剂中至少一种氧化剂(ON)导入反应区，使它们有效地化学接触以形成包括处于激发态的多种中间体，这些中间体中的至少一种作为沉积膜组成元素的供应源，在置于成膜区中的基底上形成沉积膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
