[发明专利]形成沉积薄膜的方法

摘要

一种形成沉积膜的方法包括把形成沉积膜的气态原料，对该原料具有氧化作用的气态卤素氧化剂(X)和有同样性质的至少一种气态氧型和氮型氧化剂导入反应区，使它们有效地接触以形成包括处于激发态的多种中间体，和用途这些中间体中的至少一种作为沉积膜组分的原料源以便在存在于成膜区中的基底上形成沉积膜。形成沉积膜的另一方法与上法相似，但增加了含作为价电子控制剂的要素的成分的气态原料(D)。

主权项

1.一种在反应区基底上形成沉积膜的方法，该方法包括：把形成沉积膜的气态原料(a)，对该气态原料具有氧化作用的气态卤素氧化剂(X)(b)和气态氧型或氮型氧化剂(ON)(C)导入反应区，使之形成混合物并且有效地化学接触以形成包括处于激发态的多种中间体，其中所述的气态原料与气态氧化剂的比例为1∶100至100∶1，气态卤素氧化剂与气态氧型或氮型氧化剂的比例为1000∶1至1∶50；和采用至少一种所述的作为沉积膜组成元素供应源的中间体，通过导气管道系统，在所述反应区的基底上形成沉积膜，所述基底的温度在成膜期间为室温至650℃，所述的导气管道系统包括许多同轴排列的管道(每个管道具有一个出口)，其中一个传送所述气态卤素氧化剂的外管，至少一个传送所述气态原料的内管和至少一个传送氧化剂的内管，所述的同轴排列的管道延伸至成膜区，使内管出口位于外管出口后面，使外管中的气态卤素氧化剂包围存在于内管中的气态原料，所述基底位于外管出口的5毫米～15厘米处。