[其他]掺杂剂均匀分布的固体摄像器及其制造方法无效
| 申请号： | 86107824 | 申请日： | 1986-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN86107824A | 公开（公告）日： | 1987-06-03 |
| 发明（设计）人： | 加藤弥三郎;铃木利彦;伊沢伸幸;神户秀夫;浜崎正治 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/72 | 分类号： | H01L21/72;H01L31/18;H01L27/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 日本东*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种固体摄像器的制造方法，通过中子辐射P型硅Si圆片的原子嬗变法，将部分的组成元素Si改变成n型杂质磷P，从而将衬底改变为n型，并产生一个电阻率ρs为10至100欧姆-厘米，或最好是40至60欧姆-厘米的Si衬底。然后用生成的硅衬底，按上述方法制造一个具有多个光敏器件和垂直及水平移位寄存器的固体摄像器。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 均匀分布 固体 摄像 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种生产固体摄像器的方法，其特征包括下列步骤：从非掺杂硅熔体生长一种有相当高电阻率的P型硅单晶；从所说硅单晶形成一硅圆片，并用中子辐射至所说硅圆片上，以形成比所说硅单晶的电阻率小的n型硅衬底；以及在所说衬底上形成有多个光敏元件和移位寄存器的所说固体摄像器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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