[其他]应用侧壁及去除技术制做亚微米掩模窗口的方法无效
| 申请号： | 86107855 | 申请日： | 1986-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN86107855B | 公开（公告）日： | 1988-06-29 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·基姆巴尔·库克;约瑟夫·弗朗希斯·施帕德 | 申请（专利权）人： | 国际商用机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 邓明 |
| 地址： | 美国纽约州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于在基底中制做窗口的方法，利用反应离子刻蚀技术，在基底上形成台面。在整个结构上淀积一膜层，并且将台面有选择地刻蚀掉，以在膜层中形成亚微米尺寸的窗口。用膜层作掩模，被掩模所露出的基底被反应离子蚀刻。给出了制做多晶硅基区双极性晶体管的发射区掩模的例子。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 侧壁 去除 技术 制做 微米 窗口 方法 | ||
【主权项】：
1.用选择性刻蚀在基底中制做窗口的方法，它包括用反应离子刻蚀侧壁技术在基底上形成台面的步骤，其特征在于下列步骤：将膜层淀积在所述基底的顶部和所述台面的顶部，而不淀积在所述台面的测壁上；用有选择性腐蚀所述台面的测壁而不腐蚀所述膜层的方法，将所述台面及其顶部的所述膜层完全除去，这样，所述膜层便只保留在除所述台面之外的位置的基底顶部上；用膜层作为刻蚀掩模，有选择地刻蚀所述基底，由此形成所述窗口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
