[发明专利]半导体电路不稳定性解决效率提高

摘要

本发明从电路结构上来解决各种半导体电路中存在的热不稳定性，提高功放电路的晶体管和电路效率，在晶体管发射结加偏置电压，使偏置电路中串接的温度敏感元件随管温变化的电压值，与发射结内建场电压随结温的变化值近似相等，偏置电压与内建场电压之差，为不随温度变化的常数，和根据电路工作状态调整偏压，来解决电路热不稳定性。并由于发射极电阻可取任意值，输入电压能与偏压叠加到发射结上，可提高功放电路中的晶体管和电路效率。输出功率能增大10～300％以上。并可制造大功率集成电路，和提高各种半导体电子设备的电可靠性，降低设备成本。

主权项

一、在半导体电子技术中，一种具有特性稳定，效率高的半导体电路是：1.晶体管电路是在晶体管发射结加正偏置电压，偏置电压电路中串接正向偏置的二极管D1或负温度系数的热敏电阻，其特征是：a、二极管D1或热敏电阻与晶体管管温相同。b、二极管D1或热敏电阻的电压降，在晶体管集电极电流流通角大于和等于180°的电路中，近似等于晶体管发射结内建场电压；在晶体管集电极电流流通角小于180°的电路中，低于晶体管发射结内建场电压。c、晶体管偏置电压与晶体管发射结内建场电压之差，近似等于与温度变化无关的常数。d、在晶体管集电极电流流通角等于和小于180°的电路中，输入信号电压与偏置电压成叠加的加到晶体管发射结上。e、在晶体管集电极电流流通角等于和小于180°的电路中，在晶体管的偏置电压点，加接反向偏置的二极管D2。f、晶体管发射极电阻RE的阻值可取任意值，甚至为零。