[其他]光学传感器

摘要

本发明涉及一种光敏二极管单元及其制作方法。二极管单元由构成阴极的第一层n型氢化非晶硅和构成阳极的第二层P+型材料组成，第二层位于第一层之上，并且是透光层。由于采用了氢化非晶硅，本发明的光敏二极管单元具有高光电导率，可控变化的光通道以及薄膜结构等特点。采用此种二极管单元组成的光敏二极管阵列容易制作，它运用简单的电路来寻址每一个二极管单元。其特征在于单元之间串扰很小，并具有最大的光灵敏度和宽的动态范围。

主权项

1、一种光敏二极管单元，包括构成阴极的第一层n-型材料和构成阳极的第二层P+型材料，该第二层位于第一层之上，是一种能透过光能的材料，该光敏二极管单元的特征在于，所述的第一层由氢化非晶硅制作而成，在经受上述光能照射后，它变成良导电体。