[其他]超低温烧结PNN压电陶瓷及其制造工艺无效
| 申请号： | 86108741 | 申请日： | 1986-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN86108741B | 公开（公告）日： | 1988-04-06 |
| 发明（设计）人： | 桂治轮;高素华;李龙土;张孝文 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L41/18 | 分类号： | H01L41/18;H01L41/22;C04B35/49 |
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 王兵,段明星 |
| 地址： | 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种超低温烧结PNN压电陶瓷及其制造工艺。本发明属于压电陶瓷及其制造领域。本发明采用铌镍锆酞酸铅压电陶瓷，以镉取代部分铅并添加二氧化硅、二氧化锰，加过量氧化铅而实现超低温烧结，烧结温度840°～1000℃。既可以密闭烧结，也可以敞开烧结。本瓷料不仅具有节约能耗、降低氧化铅挥发、简化工艺等优点，而且具有优良压电性能。用这种瓷料可以制作多层器件、蜂鸣器、换能器、滤波器等，并且生产效率高，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 超低温 烧结 pnn 压电 陶瓷 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种铌镍-锆钛酸铅为材料的超低温烧结压电陶瓷，其特征在于基料组成为Pb1-xCdx（Ni1/3Nb2/3）yZrzTiwO3+q1wt%MnO2+q2wt%SiO2+q3wt%Pb3O4，其中
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