[其他]直热式远红外辐射元件无效
| 申请号： | 86200886 | 申请日： | 1986-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN86200886U | 公开（公告）日： | 1986-11-19 |
| 发明（设计）人： | 邹殿荣 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨市电器元件厂 |
| 主分类号： | H05B3/20 | 分类号： | H05B3/20 |
| 代理公司： | 黑龙江省专利服务中心 | 代理人： | 韩卫群 |
| 地址： | 黑龙江省哈*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 直热式远红外辐射元件包括基体[1]及烧结在基体[1]上的搪瓷釉料辐射涂层[2]，在基体[1]的两端有电源接点[3]，基体[1]是由薄钢板或金属粉末制成，基体本身既是发热体又是通电体。此元件使用电压范围广、坚固寿命长、釉膜不脱落、绝缘性能良好、散热面大、方向性强、升温快、节电率高。 | ||
| 搜索关键词： | 直热式远 红外 辐射 元件 | ||
【主权项】：
1、直热式远红外辐射元件，它包括基体[1]及烧结在基体[1]上并与基体[1]的材料澎涨系数相似的搪瓷釉料辐射涂层[2]，还包括位于基体两端的电源接点[3]、其特征在于基体[1]是由薄钢板或金属粉末板制成。
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