[其他]用氧化镁部分稳定的氧化锆无效
申请号: | 87100024 | 申请日: | 1987-01-03 |
公开(公告)号: | CN87100024A | 公开(公告)日: | 1987-08-12 |
发明(设计)人: | 爱德华·艾伦·布什;K·帕塔比尔阿;米·雷帝;小路易斯·斯坦利·索查 | 申请(专利权)人: | 康宁玻璃厂 |
主分类号: | C04B35/48 | 分类号: | C04B35/48 |
代理公司: | 上海专利事务所 | 代理人: | 刘庆玫 |
地址: | 美国纽约州*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 氧化镁部分稳定的氧化锆陶瓷材料可以至少存在约为0.05%(重量百分)氧化硅的“未提纯”氧化锆来制备,尽管氧化硅含量较高,通过一种加热规程能制得一种抗热冲击材料,该加热规程包括以特殊的速度加热到最高温度并以特殊的速度冷却到室温,同时还包括一个在1000~1200℃的热时效步骤。微观结构和单斜晶氧化锆含量的不同,结果造成陶瓷材料的物理性能的不同,可通过改变加热和热时效规程来达到。 | ||
搜索关键词: | 氧化镁 部分 稳定 氧化锆 | ||
【主权项】:
1、一种部分稳定化的氧化锆材料体,主要包括结晶氧化锆、氧化硅和氧化镁,其特征是氧化硅为总体重量的约0.05~0.5%,而氧化镁为总体重量的约2.5~4.0%;所述氧化锆材料体具有结晶态的显微结构,它主要包括:(1)包括氧化锆和大部分氧化镁的立方稳定化氧化锆晶粒,(2)立方晶粒内的四方晶氧化锆的不连续沉淀物,(3)立方晶晶粒内单斜晶氧化锆的不连续沉淀物,以及(4)立方晶晶粒边界上的单斜晶系氧化锆,每个所述四方系和单斜晶系的沉淀物有-基本上是椭球的形状,其长轴约为0.1~0.4微米,并且部分稳定的氧化锆材料体具有:(a)一种显微结构,其中单斜晶系氧化锆体积百分含量约为10~20%,热膨胀系数在25~1000℃范围内为约(65~105)×10-7/℃,并且在暴露于热冲击后,室温25℃下测量,其断裂模数至少约为350MPa;或(b)一种显微结构,其中单斜晶系氧化锆的体积百分含量约为20~60,在25~1000℃温度范围内的热膨胀系数约为(10×65)×10-7/℃,并在暴露于热冲击后,室温25℃测量,其断裂模数至少约为250MPa。
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