[发明专利]一种图象传感器无效
| 申请号： | 87100057.1 | 申请日： | 1987-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1008783B | 公开（公告）日： | 1990-07-11 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/078 | 分类号： | H01L31/078;H01L31/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,肖春京 |
| 地址： | 日本奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光电转换器，其光敏部分系按一定的方式设计，使光电流只在垂直于半导体层的方向上流动，从而使该光电转换器能快速响应入射光。这种光电转换器由半导体和一对敷在半导体层相对表面上的电极组成，半导体层和各电极一起腐蚀加工，从而使各层与备电极具有同样的面积和形状。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图象 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种图象传感器，其特征在于，该图象传感器包括：一个衬底；和配置在所述衬底上的光敏半导体阵列，所述阵列各元件由一半导体层和一对分别配置在所述半导体层上下表面且复盖所述上下表面的第一和第二电极所组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
