[其他]高速响应光电转换器及其制造方法无效
| 申请号： | 87100058 | 申请日： | 1987-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN87100058A | 公开（公告）日： | 1987-07-22 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;间濑晃;浜谷敏次 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06;H01L31/10;H01L31/18;H01L25/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 日本奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 介绍了一种经过改良的光电转换器。该光电转换器包括多个光电半导体元件，各光电半导体元件由第一电极、半导体层和第二电极组成。半导体层的相对表面完全为第一和第二电极所遮盖。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 响应 光电 转换器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光电转换器，其特征在于，该光电转换器包括；一层光电半导体层；在所述半导体层相对表面上形成并完全遮盖该相对表面的第一和第二电极；一层在所述半导体层周边形成并防止所述周边暴露的树脂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
