[其他]再烧结富硼多晶立方氮化硼及其制造方法无效
| 申请号： | 87100500 | 申请日： | 1987-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN87100500A | 公开（公告）日： | 1987-08-19 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·雷蒙德·拉文斯;弗朗西斯·雷蒙德·科里根 | 申请（专利权）人： | 通用电器公司 |
| 主分类号： | C01B21/064 | 分类号： | C01B21/064 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 罗才希 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造再烧结的多晶立方氮化硼压块的方法包括将烧结的富硼多晶立方氮化硼颗粒放在一高温/高压装置中，使所述的富硼立方氮化硼颗粒经受适合将所述颗粒进行再烧结的压力和温度的处理，以所采用的温度低于立方氮化硼的再转化温度，所用的时间足以能对其中的多晶立方氮化硼颗粒进行再烧结。在高压/高温装置中的富硼多晶立方氮化硼颗粒不含可干扰烧结过程的杂质(抑制立方氮化硼烧结的杂质)，也不含烧结助剂。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 多晶 立方 氮化 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、制造再烧结多晶立方氮化硼的方法包括：(a)将基本上无催化剂的烧结富硼多晶立方氮化硼颗粒放在一高压/高温装置中，所述的颗粒基本上不含抑制烧结的杂质，(b)使所述的富硼立方氮化硼颗粒经受适合将所述的颗粒进行再烧结的温度和压力的处理，温度低于立方氮化硼再转化的温度，(c)将所述的压力和温度保持一段足以使富硼立方氮化硼在所述的装置中进行再烧结的时间，(d)从所述的装置中回收所述的再烧结的多晶立方氮化硼。
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