[发明专利]光电转换器件的制造方法无效
申请号: | 87100588.3 | 申请日: | 1987-02-02 |
公开(公告)号: | CN1008580B | 公开(公告)日: | 1990-06-27 |
发明(设计)人: | 铃木邦夫;小林一平;柴田克彦;薄田真人;金花美树雄;深田武;永山进;阿部雅芳;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/04 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 林长安 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 通过在制造光电变换器件的最后步骤中对转换器件进行修整处理,从而可在高生产率下生产光电转换器件,在半导体层的形成过程中所产生的短路电流通道可通过向该半导体层施加反向电压而消除之,然后将之加热并使之成为绝缘体。在消除短路电流通道后,即使在8伏特的反向电压下,其反向电流也不会再超过15毫安培。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种消除光电转换器件中缺陷的方法,所述光电转换器件具有第一和第二电极,其间夹有含pin结的半导体层,其特征在于该方法为:在所述第一和第二电极间串联一电压源和一电流计;和使所述电压源通过所述第一和第二电极将低于破坏电压的一反向电压加到所述半导体层上,并使通过所述半导体层的电流受到监测,以便确认指示该半导体层缺陷的烧毁程度而造成的电流下降情况。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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