[发明专利]具有第一层A-Si(H，X)和第二层A-SiC(H，X)的非均匀分布和均匀分布导电性控制的光接收元件无效
| 申请号： | 87100605.7 | 申请日： | 1987-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1014186B | 公开（公告）日： | 1991-10-02 |
| 发明（设计）人： | 白井茂;大野茂 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | G03G5/082 | 分类号： | G03G5/082;G03G5/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 刘晖 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一个改进的光接收元件包括一个衬底和叠加的具有光电导性的第一层的光接收层，该层由含有硅原子为主要原子成分的非晶材料构成；以及第二层由含硅原子作为主要原子成分和碳原子的非晶材料构成。该第一层含有控制在不均匀分布状态下导电性的元素；该第二层含有控制在均匀分布状态下导电性的元素。该第一层可以在整个层区或在靠近衬底的部分层区中含有均匀分布状态的锗原子。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 一层 si 第二 sic 均匀分布 导电性 控制 接收 元件 | ||
【主权项】：
1.一种光接收元件，包括衬底和该衬底上的光接收层，其特征在于：所述光接收层包括厚度为1-100μm的具有导电性的第一层(I)和厚度为3×10-3-30μm的第二层(II)，所述第一层(I)由含有以硅原子为主要组分的非晶材料和总量为1×10-2-40原子百分比的从氢原子和卤素原子中选出的至少一种原子组成，並且含有沿层厚度方向处于非均匀分布状态的导电性控制元素的原子，所述第二层(II)由含有硅原子，1×10-3-90原子百分比的碳原子以及总量为1×10-2-40原子百分比的从氢原子和卤素原子中选出的至少一种原子的非晶材料组成，並且含有沿层厚度方向处于非均匀分布状态的导电性控制元素的原子。
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