[其他]半导体的光致核嬗变掺杂无效
| 申请号： | 87100971 | 申请日： | 1987-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN87100971A | 公开（公告）日： | 1987-09-09 |
| 发明（设计）人： | 戴维·詹姆斯·索利·芬德利 | 申请（专利权）人： | 英国原子能管理局 |
| 主分类号： | C30B31/00 | 分类号： | C30B31/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京,肖掬昌 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于掺杂半导体材料的工艺及设备，借助于光致核反应，将其中的半导体材料的原子嬗变为选择掺杂物的原子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光致核 嬗变 掺杂 | ||
【主权项】：
1、一种生产具有给定电导率特性的半导体材料的工艺，其特征包括用高能光子处理一批半导体材料，使其电导特性与某一规格相符的操作，从而经半导体材料本体原子中的光致核反应后，在半导体材料本体内制造出能将所需导电率特性赋予半导体材料的元素原子，以及当达到电导率的给定值时，就中止辐射。
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