[发明专利]非晶硅太阳电池背电极的刻蚀方法

摘要

用激光—化学腐蚀刻蚀a-si太阳电池背电极，涉及半导体及光电器件。本发明是在背金属电极上涂敷一层极薄的防腐层，用激光按所需背金属电极的图案刻蚀防腐层，然后再用化学腐蚀来除去背电极，从而达到无掩模刻蚀背金属电极的目的。防腐层可用旋涂法、喷涂法或浸涂法涂敷于背金属电极的表面上，根据防腐层的厚度选择适当的激光参数如光源电源电压、电流，激光扫描或样品移动的速度，调Q频率等即能获得满意的刻蚀效果。

主权项

1.一种用激光——化学腐蚀刻蚀a-Si太阳电池背电极的方法，其特征在于：A.预制备防腐液及腐蚀液；B.涂敷防腐层：在室温，相对湿度≤80％条件下，将防腐液均匀涂敷在蒸涂好金属电极的样品上，并干燥；C.激光刻蚀防腐层：用Nd+-yAG激光器刻蚀防腐层，条件：用1.06微米波长的激光，调Q频率1-10千赫，扫描速度5-160毫米/秒，电源电压235-255伏，电源11-20安；D.化学腐蚀背电极：将激光刻蚀好的样品，放入25-40℃腐蚀液中，至背电极完全腐蚀干净；E.将化学腐蚀过的样品，浸入有机溶剂中，至完全除去防腐层。