[其他]互补绝缘体外延硅横向绝缘栅整流管

摘要

在基本上绝缘的基片的主表面上形成一单晶硅层、在该层中制造一种绝缘体外延硅(SOI)横向绝缘栅整流器(LIGR)。该单晶硅层包含若干相邻共面掺杂层区，这些相邻接触的层区形成两个具有公共源区的互补LIGR元件、由它们构成所述互补SOILIGR组件。组件的公共源区以及两个漏区由具有第一和第二类导电性的各区组成。这样就获得一种简单、易于制造、平衡、高性能的互补LIGR结构，其中基本上消除了各种不需要的基片电流。

主权项

1、一种互补绝缘体外延硅(SOI)横向绝缘栅整流器(LIGR)，其特征在于：-一个基本上绝缘的具有一个主表面的基片，-一个在所述主表面上的单晶硅层、所述层包括多个相邻的共面掺杂层区，-含有具有第一类和相反的第二类导电性的各区并且构成所述互补LIGR的第一漏区的第一层区，-具有所述第一类导电性的、与所述第一层区接触并包括所述互补LIGR的第一漂移区的第二层区，-具有所述第二类导电性的、与所述第二层区接触并包括所述互补LIGR的第一沟道区的第三层区，-含有具有所述第一类和第二类导电性的各区的、与所述第三层区接触并构成所述互补LIGR的公共源区的第四层区，-具有所述第一类导电性的、与所述第四层区接触并包括所述互补LIGR的第二沟道区的第五层区，-具有所述第二类导电性的、与所述第五层区接触并包括所述互补LIGR的第二漂移区的第六层区，-含有具有所述第一类和第二类导电性的各区的、与所述第六层区接触并构成所述互补LIGR的第二漏区的第七层区，-在所述单晶硅层的各层区上面并至少复盖所述第三和第五层区的绝缘层，-在所述绝缘层上面并且分别在所述第三和第五层区上方的第一和第二栅极，-与所述第四层区连接的源极，以及-分别与所述第一和第七层区连接的第一和第二漏极。