[发明专利]制造阴极射线管的方法无效
| 申请号： | 87101270.7 | 申请日： | 1987-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1009879B | 公开（公告）日： | 1990-10-03 |
| 发明（设计）人： | 伊藤武夫;松田秀三;吉迫守;八木修 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;多摩化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/24 | 分类号： | H01J9/24;H01J29/88 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明，通过主要由缩合硅酸烷基酯构成的聚烷基硅氧烷的缩合反应，在阴极射线管(1)屏盘(2)上形成一层SiO2薄膜，从而容易地形成一层高粘结强度的抗静电/防反射薄膜(3)。结果，能适当地设定形成抗静电/防反射薄膜(3)的烧结条件。抗静电效果得到进一步增强，外光反射减小而工作能力大大改善。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 阴极射线管 方法 | ||
【主权项】：
一种制造阴极射线管(1)的方法，其特征包括以下步骤：在阴极射线管(1)的屏盘上被覆包含聚烷基硅氧烷的溶液，此聚烷基硅氧烷是在二聚物到六聚物的平均范围内缩合硅酸烷基酯而得到的；以及缩合所得的聚烷基硅氧烷，从而在所述屏盘(2)上形成SiO2薄膜(3)。
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