[其他]用在电子摄影术中的光接收元件无效
| 申请号： | 87101639 | 申请日： | 1987-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN87101639A | 公开（公告）日： | 1987-11-25 |
| 发明（设计）人： | 白井茂;斉藤惠志;新井孝至;加藤富;藤冈靖 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | G03G5/08 | 分类号： | G03G5/08;G03G5/04;G03G5/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 赵越 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一个改进的电子摄影术用光接收元件。它包括一层为电子摄影术用的基底和一光接收层，后者由含硅原子锗原子的多晶材料形成的长波长光吸收层构成；一层由含硅原子作为主要原子成分的非晶材料形成的光电导层；及一层由含硅原子、碳原子和氢原子的非晶材料形成的表面层，表面层中氢原子含量为1×10-3至40原子百分比。光接收层可具有一层电荷注入阻挡层/一层接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 摄影术 中的 接收 元件 | ||
【主权项】：
1、一个用于电子摄影术的光接收元件其特征在于包括：一个用于电子摄影术的基底和一层光接收层，该光接收层系由一种含有硅原子和锗原子的非晶材料或多晶形材料形成的一层吸收长波长光的层(以下称为“IR”层)构成：一层光电导层，它系由含有硅原子作为主要原子成分的一种非晶材料形成；以及一层表面层，它是由含有硅原子、碳原子和氢原子的一种非晶材料形成，在表面层中的氢原子含量为41～70原子百分比。
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