[其他]制造半导体单晶装置无效
| 申请号： | 87101952 | 申请日： | 1987-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN87101952A | 公开（公告）日： | 1987-09-23 |
| 发明（设计）人： | 神尾宽;中冈一秀;荒木健治;村上胜彦;风间彰;堀江重豪 | 申请（专利权）人： | 日本钢管株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/22 | 分类号： | C30B15/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京,肖掬昌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体单晶用的装置，制造时是在半导体材料转动的同时，逐步将熔融在坩埚中的半导体材料从熔融池中提拉，并使半导体材料凝固成圆形棒条，由此制出半导体单晶棒条。该装置至少包括一长条半导体原材料、加热装置、支撑装置和表面镇静装置。加热装置用以加热初始原料体以便在料下端形成熔体，支撑装置用以通过预定缝隙将料体支撑在熔融池上方，表面镇静装置则用以防止因料体滴入熔融池表面所引起的破坏及熔融池中心表面区的凝固。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体单晶用的装置，制造单晶时是将半导体材料转动的同时，逐步将熔融在坩埚中的半导体材料从熔融池中提拉，并使半导体材料凝固成圆形棒条，由此制造出半导体单晶棒条，该装置的特征在于，它至少包括一长条半导体原材料加热装置、支撑装置和表面镇静装置；加热装置用以加热所述原材料体以便在料体下端形成熔体，支撑装置用以通过预定缝隙将所述料体支撑在所述熔融池上方，表面镇静装置则用以防止因料体滴入熔融池表面所引起的破坏及熔融池中心表面区的所述凝固部分。
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