[其他]锗基片单层硫化锌高强度增透膜无效
| 申请号： | 87102489 | 申请日： | 1987-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN87102489A | 公开（公告）日： | 1988-10-12 |
| 发明（设计）人： | 余菊仙 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24;C23C14/58 |
| 代理公司： | 云南省专利事务所 | 代理人： | 李灿 |
| 地址： | 云南省昆明市*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 锗基片用单层硫化锌(ZnS)高强度增透膜制备方法属于红外器件，红外仪器和设备中红外光学薄膜的制造方法。本发明的工艺方法是采用冷基片蒸镀，然后在大气中对膜层进行特定条件下进行热处理，解决了膜层的光学性能和力学强度之间的矛盾。在保证了膜层具有优良的光学性能的前提下获得了具有耐磨、耐腐蚀，抗潮、耐高低温和温度骤变的冲击，是红外器件，红外仪器和设备中很重要的光学薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 锗基片 单层 硫化锌 强度 增透膜 | ||
【主权项】：
1、一种镀在Ge基片上的单层ZnS增透膜的制造方法，其特征是：采用了冷基片蒸镀和特定温度下热处理强化工艺。
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