[发明专利]在多晶硅上具有平滑界面的集成电路无效
| 申请号： | 87102505.1 | 申请日： | 1987-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1007680B | 公开（公告）日： | 1990-04-18 |
| 发明（设计）人： | 凯利帕特纳姆;维维克·罗 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/02;H01L29/92 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 景星光 |
| 地址： | 美国得克*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种得到非常平滑的多晶硅1层/层间绝缘层/多晶硅2层的界面。本质上，多晶硅1层18是无定形相的LPCVD的沉积层和用注入掺杂的。这以后沉积一种适当的绝缘层20，接着多晶硅1层18在约1000℃温度下重结晶。然后，用LPCVD沉积多晶硅2层和在950℃温度下掺入POCl3，得到的多晶硅2/层间绝缘层/多晶硅1界面是一种原子范围的非常平滑的界面，甚至在其它器件制造的热循环以后也是如此，并且相信将导至优良的漏泄特性。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 具有 平滑 界面 集成电路 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路电容器，包括：a，一种第一多晶体的导电层，它包括50%～100%的硅原子；b，在所说的第一导电层上的一种复合绝缘材料层；c，在绝缘层上的一种第二导电层，其中在所说的第一导电层和所说的绝缘层之间的垂直于所说的界面的最大局部偏差是60。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
