[其他]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 87102619 | 申请日： | 1987-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN87102619A | 公开（公告）日： | 1987-11-11 |
| 发明（设计）人： | 山岸英雄;山口美则;浅冈圭三;宏江昭彦;近藤正隆;津下和永;太和田善久 | 申请（专利权）人： | 钟渊化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,肖春京 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有多结的非晶形或微晶形半导体的光电器件，其中包含高浓度杂质的一或多层被插入在p型导电层和n型导电层之间。被插入的层形成一隧道结以提高光电转换率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种实质上由非晶形和/或微晶形材料组成的半导体器件，其特征在于，它的多结结层包括一或多层掺以n型掺杂剂的n型层，一或多层掺以p型掺杂剂的p型层，以及至少一层包括一个高浓度的杂质并被插入所说p型和所说n型层间的薄层，从而促进载流子的复合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
