[其他]用于气相淀积的方法和装置无效
| 申请号： | 87102726 | 申请日： | 1987-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN87102726A | 公开（公告）日： | 1987-12-16 |
| 发明（设计）人： | 河合弘治;今永俊治;长谷伊知郎;金子邦雄;渡部尚三 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种气相淀积的方法，包括以现场监测的方法测试半导体薄膜的生长。根据本发明，入射光束在几乎垂直于生长膜表面的方向上，照射到生长膜的表面。膜的生长参数能够由膜表面反射光变化测试出来。根据测出的生长参数，可以反馈控制气相淀积室中的生长条件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 气相淀积 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种控制气相淀积生长薄膜的成分及其生长的方法，包括下列步骤：光束照射到上述薄膜表面上，该光束的入射角近似地与薄膜表面成直角，接收从薄膜上反射的光束，用来监测生长参数和产生生长参数指示信号，并且根据该生长参数指示信号反馈控制薄膜的生长条件。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
