[其他]硅平面型功率晶体管管芯制造方法无效
| 申请号： | 87102729 | 申请日： | 1987-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1004737B | 公开（公告）日： | 1989-07-05 |
| 发明（设计）人： | 刘振茂;张国威;张鹏俭 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 哈尔滨工业大学专利事务所 | 代理人： | 黄锦阳 |
| 地址： | 黑龙江省哈*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 在对硅平面型功率晶体管管芯ｃｂ结低击穿、管道击穿、多段击穿、大漏电，以及ｃｅ结穿通等产生原因的研究分析的基础上，提出一种刻蚀沟槽和低温钝化相结合的刻槽硅平面型功率晶体管管芯制造技术。大幅度的提高功率晶体管管芯的合格率和高档品率，并使整批管芯ｃｂ结击穿电压均一化，改善管芯电性能等。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 功率 晶体管 管芯 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、硅平面型功率晶体管管芯制造方法，采用发射区磷扩散和一次氧化工艺制成管芯，其特征在于对制成的管芯采用光刻→腐蚀→钝化工艺，方法如下：a、光刻：沿集电结在二氧化硅层上用光刻法开出窗口，窗口宽度应大于集电结在最大反偏压下的势垒宽度，即：D=W+2ΔS其中D为窗口宽度，W为外延层厚度，ΔS为光刻套刻精度。b、腐蚀：采用HNO3∶HF=100∶5的腐蚀液，腐蚀深度为发射结结深。c、表面钝化：采用低温淀积法或低温热氧化法生长SiO2层。
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