[发明专利]硅平面型功率晶体管管芯制造方法无效
| 申请号： | 87102729.1 | 申请日： | 1987-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1004737B | 公开（公告）日： | 1989-07-05 |
| 发明（设计）人： | 刘振茂;张国威;张鹏俭 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72;H01L21/18 |
| 代理公司： | 哈尔滨工业大学专利事务所 | 代理人： | 黄锦阳 |
| 地址： | 黑龙江省哈*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 在对硅平面型功率晶体管管芯cb结低击穿、管道击穿、多段击穿、大漏电，以及ce结穿通等产生原因的研究分析的基础上，提出一种刻蚀沟槽和低温钝化相结合的刻槽硅平面型功率晶体管管芯制造技术。大幅度的提高功率晶体管管芯的合格率和高档品率，并使整批管芯cb结击穿电压均一化，改善管芯电性能等。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 功率 晶体管 管芯 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅平面型功率晶体管管芯制造方法，其工艺步骤包括(1)硼扩散形成基区；(2)磷扩散形成发射区，并予以氧化；(3)沿集电结在二氧化硅层上用光刻法开出窗口；(4)腐蚀窗口显露的硅；(5)表面钝化：(6)光刻引线孔、蒸铝、反刻铝、制出管芯。其特征在于a、沿集电结在二氧化硅层上开出窗口，窗口的宽度D为：D＝D1+D2≈W+2ΔSD1为跨在集电区上的宽度，D2为跨在基区内的宽度，W为外延层厚度，ΔS为光刻的套刻精度；b、硅腐蚀：腐蚀窗口显露的硅，其腐蚀深度为发射结的结深(Xje)。
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