[其他]圆形硅杯的电化学腐蚀

摘要

本发明公开一种电化学腐蚀工艺，用以腐蚀得半导体硅压阻式压力传感器中的圆形硅杯(周边固定支撑的硅弹性膜)。采用对人体毒害性较小的NH4F水溶液作电化学腐蚀液；待腐蚀的具n/n+结构的硅片的n+面上用极易生长的SiO2作选择性腐蚀掩膜，再盖上有足够大内径的下橡皮圈被压在负极性的多孔铜电极和正极性的铜电极之间，腐蚀液不断喷入负极性的多孔铜电极，直达待腐蚀硅片进行腐蚀。

主权项

1、一种半导体硅压阻式压力传感器中园形硅杯的电化学腐蚀，采用含氟的腐蚀液[11]，在n+衬底上外延一层n型层，并在n+面上作好选择性掩膜图形的待腐蚀硅片[6]与腐蚀液[11]之间有不断的相对运动，在外加电场作用下达到腐蚀n+的目的，其特征是腐蚀液[11]采用NH4F水溶液；用SiO2作选择性腐蚀掩膜；待腐蚀硅片[6]的作好SiO2选择性腐蚀掩膜的一面盖上有足够大内径的下橡皮圈[5]后，被夹在接向直接电源[10]负极的多孔铜电极[7]和接向直流电源[10]正极的铜电极[8]之间；腐蚀液[11]不断喷射入多孔铜电极[7]，直达待腐蚀硅片[6]进行腐蚀。