[其他]集成电路绝缘工艺方法无效
| 申请号： | 87104640 | 申请日： | 1987-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN87104640A | 公开（公告）日： | 1988-01-27 |
| 发明（设计）人： | 理查德·A·恰普曼;克莱伦斯·邓万生 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/94 | 分类号： | H01L21/94;H01L21/314;H01L21/471 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 冯晓明 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种通过提供几乎平滑的表面而避免由应力引起的缺陷的多凹槽绝缘工艺。在硅基片10上形成图案并蚀刻之，产生有源壕状区18和凹槽(20a-b和21a-b)。使用LOCOS方法在宽凹槽区21内生长场氧化物40，从而用氧化物将凹槽填上，并在窄凹槽区20内沉积上平整的场氧化物44。当将结构进行蚀刻得到一平整的表面后，使用标准步骤制备有源器件，该方法只使用一个光刻掩蔽步骤，使电有源区的宽度损失量极小。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 绝缘 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、在由窄的和宽的凹槽分隔的半导体基片中绝缘区域的方法，它包括：仅只在宽的凹槽中生长第一场氧化物；在基体上沉积一第二场氧化物区，将窄凹槽和宽凹槽的任何剩下的未填满部分填上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
