[发明专利]半导体器件的制造方法和系统无效
| 申请号： | 87104656.3 | 申请日： | 1987-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1005881B | 公开（公告）日： | 1989-11-22 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/365 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 李先春,肖掬昌 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文示出了一种改进的半导体器件的制作系统和方法。在此系统中，借助EOR系统和CVD系统的联合可以避免有害的溅射效应。在用联合系统淀积之前，在反应室内可以在基片上预形成一个子层，在不接触大气的情况再传递到用联合系统进行淀积的另一个反应室，以使得这样形成的结有良好的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一用化学汽相反应制造半导体器件的方法，其特征在于：该方法包括下列步骤：引入一非产气体到一真空室的反应空间；使所述的非生产气体置于磁场中；对所述的非生产气体施加微波，以激励所述的非生产气体，以及在磁场存在的条件下给通过分解从所述的非生产气体中产生的带电粒子供能；引入一用于淀积碳化硅的生产气体至淀积空间；借助于所述赋能的带电粒子与所述生产气体混合，实现所述生产气体的化学汽相反应，随后在安置在所述的真空室中的一基片上淀积SixC1-x(0＜x＜1)半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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