[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 87104814.0 | 申请日: | 1987-07-13 |
公开(公告)号: | CN1004955B | 公开(公告)日: | 1989-08-02 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L27/14 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 邓明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种可简单且低成本生产、同时又具有显示板与写入板功能的光电板,介绍了有关光电板中的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括有一个非线性光敏结的三层式非单晶半导体部件。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种由一块衬底,三叠层半导体部件和二个对置于三叠层半导体部件二外表面的第一和第二电极组成的光敏半导体部件,其中所说的衬底是透明的以及至少一个电极也是透明的,其特征在于,所说三叠层半导体部件是由一层第一导电型N型或P型的第一非单晶半导体层、一层制备在第一非单晶半导体层上的掺杂水平低于第一非单晶半导体层的N-、I或P-型非单晶光敏半导体和一层制备在所述光敏半导体层上的第一导电型N型或P型的第二非单晶半导体层所构成的、电压一电流特性呈非线性的半导体光敏结部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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