[其他]散热性能改善了的大规模集成电路封装无效
申请号: | 87104825 | 申请日: | 1987-07-09 |
公开(公告)号: | CN87104825A | 公开(公告)日: | 1988-01-27 |
发明(设计)人: | 凯利·艾·蒂明斯;斯科特·利·施罗德;查尔斯·伊·鲍尔 | 申请(专利权)人: | 特克特朗尼克公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L23/02;H01L23/30;H01L23/36 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 肖掬昌,吴秉芬 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种大功率塑料LS1封装,该封装具有从集成电路管芯通到封装顶部金属散热器的低热阻通路。热通路包括氧化铍之类的传热电气绝缘体,夹在集成电路管芯与散热器之间。氧化铍相对表面是金属化的,并分别焊接到管芯和散热器上。集成电路管芯与印刷电路板之间以引线框架作为界面,引线框架系用环氧树脂粘接到散热器上,使导线焊接表面不受污染。这种封装结面至外壳的热阻比其它塑料芯片载体的热阻小一至二个数量级。 | ||
搜索关键词: | 散热 性能 改善 大规模集成电路 封装 | ||
【主权项】:
1、一种集成电路管芯用的封装,其特征在于,该封装包括:一个传热组件;一个封装装置,用以容纳所述集成电路管芯和传热组件,所述封装装置具有第一和第二处在相对位置的表面,适于按下述方式装在电路板上:第一表面毗邻电路板配置,第二表面与电路板间隔一段距离配置,其中一个所述表面包括散热用的散热装置;所述传热组件包括:一个传热电气绝缘体,具有第一和第二敷有金属化的处于相对位置的表面;第一金属焊接装置,用以将集成电路管芯焊接到电气绝缘体的第一金属化表面上;和第二金属焊接装置,用以将电气绝缘体的第二金属化表面焊接到散热装置上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于特克特朗尼克公司,未经特克特朗尼克公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/87104825/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制造稀土-过渡金属-硼永久磁铁的高能球磨法
- 下一篇:工艺过程
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造