[发明专利]摄象管靶无效
| 申请号： | 87104843.4 | 申请日： | 1987-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1004732B | 公开（公告）日： | 1989-07-05 |
| 发明（设计）人： | 云内高明;野中育光;井上荣典 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01J29/45 | 分类号： | H01J29/45;H01J31/26;H01L31/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 何耀煌,曹济洪 |
| 地址： | 日本东京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种摄象管靶，它包括一层在透明基片上形成的N型导电薄膜、一层与该N型导电薄膜构成整流接触的P型光电导薄膜和一个电子束射击层；所述P型光电导薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一层、第二层和第三层，其中第一层中砷的平均浓度低于8％(按重量计)，第二层和第三层的砷的浓度在8％至20％的范围内(按重量计)，并且第三层的厚度在所述P型光电导薄膜的总厚度的5％至50％的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 象管 | ||
【主权项】：
1.一种摄象管靶，包括：-一层在透明基片上形成的N型导电薄膜，-一层与所述N型导电薄膜构成整流接触的P型光电导薄膜，所述P型光电导薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一层、第二层和第三层，以及-一个电子束射击层，其特征在于：其中第一层中砷的平均浓度低于8％(按重量计)，所述第三层中砷的浓度在8％至20％(按重量计)的范围内，而所述第三层的厚度在所述P型光电导薄膜的总厚度的5％至50％的范围内。
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