[其他]半导体陶瓷合成物和半导体陶瓷电容器无效
| 申请号： | 87105776 | 申请日： | 1987-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN87105776A | 公开（公告）日： | 1988-02-24 |
| 发明（设计）人： | 小野秀一;板垣秋一;矢作正博;古川喜代志;藤原忍;及川泰仲 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;C04B35/00;H01G4/12;H01L29/95 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,吴秉芬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电气和物理性能优异足以用作边界层型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷合成物和一种介电常数和绝缘电阻有所提高、电极的可钎焊性和抗拉强度优异的电容器。该合成物包含SrTiO3基本原料和Y2O3及Nb2O5的半导电性添加剂。Y2O3和Nb2O5的含量各为合成物的0.1至0.4克分子％。该电容器有一个由该合成物制成的半导体陶瓷体，陶瓷体各表面形成有第一导电层，第一导电层上形成有第二导电层。还提供了制造该电容器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 合成物 电容器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体陶瓷合成物，其特征在于，该合成物包含：一种含SrTiO3的基本原料；和一种含Y3O3和Nb2O5的半导电性添加剂；所述Y2O3和Nb2O5的含量各为所述合成物的0.1至0.4克分子%。
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