[发明专利]一种钛酸锶系半导体陶瓷组合物及所制造的电容器无效
| 申请号： | 87105776.X | 申请日： | 1987-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1011838B | 公开（公告）日： | 1991-02-27 |
| 发明（设计）人： | 小野秀一;板垣秋一;矢作正博;古川喜代志;藤原忍;及川泰伸 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;C04B35/46;H01G4/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,吴秉芬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电气和物理性能优异足以用作边界层型半导体陶瓷电容器的钛酸锶系半导体陶瓷合成物和一种介电常数和绝缘电阻有所提高、电极的可钎焊性和抗拉强度优异的电容器。该组合物包含SrTiO3基本原料和Y2O3及Nb2O5的半导电性添加剂。Y2O3和Nb2O5的含量各为组合成物的0.1至0.4克分子％。该电容器有一个由该组合物制成的半导体陶瓷体，陶瓷体各表面形成有第一导电层，第一导电层上形成有第二导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钛酸锶系 半导体 陶瓷 组合 制造 电容器 | ||
【主权项】：
1、一种钛酸锶系半导体陶瓷组合物，该组合物主要包含基本原料SrTiO3半导电性添加剂Y2O3和Nb2O5其特征在于，所述SrTiO3占总组成的99.8-99.2克分子%，所述Y2O3和Nb2O5各占总组成的0.1-0.4克分子%，并还包含占总组成0.01-0.1克分子%的SiO2及0.02-0.2克分子%的MnO。
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