[其他]半导体陶瓷组合物无效
| 申请号： | 87105843 | 申请日： | 1987-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN87105843A | 公开（公告）日： | 1988-03-23 |
| 发明（设计）人： | 小野秀一;矢作正博;板垣秋一;菊地信明 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;C04B35/46 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 罗才希,魏金玺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于还原再氧化型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷组合物，该组合物能提高电容器的电容、绝缘强度并能改善电容器的温度特性。组合物包括BaTiO3基体组分和包含Nb和Ce的少量组分。Nb和Ce的含量分别按Nb2O5和CeO2计算为0.2到3.0％(摩尔)。用添加Co等元素的方法来提高电容器的绝缘电阻和直流击穿电压并进一步改善电容的温度特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 组合 | ||
【主权项】：
1、一种半导体陶瓷组合物，包括：包含BaTiO3的基体组分和包含Nb和Ce的少量组分，所述Nb和Ce的含量分别按Nb2O5和CeO2计算为0.2到3.0%(摩尔)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社，未经TDK株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/87105843/，转载请声明来源钻瓜专利网。
